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SK海力士宣布2020年量产1Znm工艺的DRAM

【天极网DIY硬件频道】存储制造商SK海力士在10月21日发布,公司已成功开拓出1Znm工艺的16GB DDR4动态随机存储器(DRAM),创下业内单芯最大年夜密度的记载。

与上一代1Y nm产品比拟,1Z nm产品的产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻,以是更具资源竞争上风。与应用1Y nm工艺打造、基于8Gb DRAM制成的同容量模块比拟,其能耗更是低落40%。此外,新型1Z nm DRAM还支持高达DDR4-3200的数据传输速度。

值得一提的是,SK hynix引入全新的材料和新的设计,最大年夜限度地提升1Z nm产品的电容。电容作为DRAM运行的关键要素,会直接抉择内存可存储的电荷量,直接影响操作的稳定性。

SK海力士DRAM开拓与营业认真人Lee Jung-hoon表示:1Z nm DDR4 DRAM具有业界最高的密度、速率和能效上风,使之成为追求高机能、高密度 DRAM 客户适应赓续变更需求的最佳选择。

着末,SK海力士计划将1Znm工艺扩展到各类利用,如下一代LPDDR5移动DRAM以及更快的HBM3显存上。量产并周全交付将在2020年实现。

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